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3英寸半绝缘SiC单晶片

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
SiC单晶及其抛光片作为衬底材料，是第三代宽禁带半导体器件和电路的关键电子功能材料。“十一五”中02重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”和01“核高基”重大专项中安排的“**波段SiC微波功率器件”、“**波段GaN微波功率器件和电路”等项目均对SiC单晶等衬底材料提出了迫切的需求。此外，后续“十二五”、“十三五”新型宽禁带大功率器件的发展也需要SiC衬底材料提供支撑。国家的01...
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