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大直径碳化硅晶体生长工艺及设备

2012年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本项目属于陕西省重大科技创新项目专项资金2005年度重点支持之新材料领域中的非金属功能材料和光电信息材料。
由于SiC单晶制备方法的特殊性，对SiC单晶生长技术的发展长期处于举步惟艰、进展缓慢的状态，但美、欧等发达国家近几年进展较快，美国已宣称能生产无微管4英寸碳化硅晶片，而我国其他单位目前仍停留在2英寸水平。为了缩短差距，本项目立足具有自主知识产权的技术，研制具有最大...
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