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低正向压降肖特基芯片技术研究及封装开发、应用

2012年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

一、项目的背景
低正向肖特基芯片产品是为了满足高端客户的需求研制的一种肖特基二极管新产品。
当时的客户——Salcomp需要为三星、诺基亚长寿命手机研制一种相应的充电器，肖特基是其中的关键耗能器件，必须降低其正向压降。根据肖特基势垒理论，多种金属如：Ni，Ti，Cr，V，W，Pt都能与N型硅形成肖特基势垒，这些势垒的高度决定了正向起始电压的大小。但是...

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