首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

高纯度磷化铟多晶锭工艺研究与产业化

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
磷化铟化合物半导体的制备，是在高温高压下进行的，因此直接采用高纯铟和高纯红磷，合成制备磷化铟单晶是很困难的，不仅对设备的要求高，设备投入大，产出量低，不适用于工业化生产。因此，目前磷化铟单晶的制备，是磷化铟多晶锭为原料，多采用纵向温度梯度法来制备磷化铟的单晶。高纯度磷化铟多晶锭是制备磷化铟单体的重要材料。
我公司采用高压炉，自行设计了3D机械手，以高纯铟（6N）和高纯红...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统