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超高亮度InGaAlPLED外延片研发和产业化

2012年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本项目目标产品为超高亮度InGaAlP LED红黄光外延片和芯片。产品是采用先进的MOCVD外延生长系统，通过优良的结构设计和长晶技术，生长出具有多量子阱结构的高效率四元系LED外延片，再通过创新的芯片工艺，大幅增加内、外量子效率，从而制造出我们所需的高品质的芯片。...

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