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一种双沟道MOS-HEMT器件及制作方法

2012年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

一种Al2O3/AlN/GaN/AlGaN/GaN双沟道MOS-HEMT器件及制作方法，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、AlGaN下势垒层7、GaN沟道层6、AlN上势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为上势垒层，降低了器件的自加热效应，同时降低...

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