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纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器

2012年

应用技术

初期阶段

成果简介

纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器项目来源于黑龙江省科技计划项目（任务书编号：GZ09A123），2009年12月经黑龙江省科学技术厅批准立项。
本项目通过采用CMOS工艺和MEMS技术在n型＜100＞晶向双面抛光4英寸高阻（ρ＞100Ω·cm）单晶硅片上制作纳米硅/单晶硅异质结，将纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET源极和漏极，四个纳米硅/单晶硅异质...

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