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一种背面点接触晶体硅太阳电池

2012年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种背面点接触晶体硅太阳电池，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的去除。本专利电池具有表面钝化效果好，背表面增强对红外光的内反射，前表面双层抗反射涂层减少表面反射，抗UV辐射性能好，光电转换效率高等优点。...
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