化工
化学化工
基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法
成果概况
| 成果类别： | 应用技术 | 体现形式： | 新技术 | 课题来源： | 自选课题 |
| 起止时间： | 2005.01 至2007.01 | 研究形式： | 独立研究 | 所处阶段： | 初期阶段 |
| 成果属性： | 原始性创新 |
成果简介
本发明公开了一种对集成电路缺陷进行分类的方法。其步骤为，首先计算缺陷的灰度值MA，并根据灰度值将缺陷分为多余物缺陷和丢失物；再次对没有缺陷的标准图像进行二值化处理；然后对多余物缺陷和丢失物缺陷同时进行3×3全1矩阵的膨胀运算，并利用标准图像二值化的结果，计算不同缺陷在陷膨胀运算后的边界值变化次数；最后根据缺陷的边界值变化次数对不同缺陷进行细分，即对于丢失物缺陷，当边界值变化次数小于等于2时，为互连线上的孔洞缺陷，否则为断路缺陷；对于多余物缺陷，当边界值变化次数大于2时，为短路缺陷，否则为背景中的多余物缺陷。本发明具有分类方法简单、速度快、正确率高，能够在集成电路和电路板产品的各个时期对缺陷分类。
应用前景
| 主要应用行业： | 信息传输、软件和信息技术服务业 | 知识产权形式： | 专利 |
| 应用状态： | 产业化应用 | 拟转化方式： |
单位概况
| 完成单位： | 西安电子科技大学 | ||||
| 单位地址： | 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||||
| 单位电话： | 029-88202212;88202856 |
联系方式
| 联系人： | 刘红侠 | 联系人电话： | 029-88202335 | 联系人Email： |