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超级结高压大功率MOSFET芯片工艺

2012年

应用技术

中期阶段

成果简介

科学技术领域：本项目属信息技术领域的功率半导体器件。
超级结MOSFET是一种为了满足高频、高效、节能、小型化的要求的新型功率半导体器件，它打破传统功率MOS器件理论极限—击穿电压（BV）与比导通电阻（Ron）存在2.5次方的关系：Ron=5.93×10-9（BV）2，将逐步代替现有的同等电压的VDMOS（Vertical Double-Diffusion MOSFET...

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