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5000A/8500V 6英寸特大功率晶闸管

2012年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　独立自主的引导半导体原材料、配套件的开发，研究特高压晶闸管最佳物理结构、专有独特制造工艺。解决的技术难题有：原始硅片极限电压电阻率定义及检验；特高压电力半导体器件阻断区极薄化设计程序；P型径向变掺杂短基区极薄化原理；杂质浓度梯度反型低负角高压阻断缓变结；转折电压比芯片厚度极大化；大直径，高均匀性、高寿命掺杂与监控；精密加工正反向对称类台面结终端；阴极图形工艺对准设计技术增大有效阴极面减小瞬态滞...

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