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高性能GaN外延材料

2012年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
GaN基宽禁带半导体材料以其优异的性能，成为制造新一代高频、大功率半导体核心电子器件和电路的首选材料。研究GaN基宽禁带半导体的关键科学技术问题，攻克GaN基宽禁带半导体材料设计、制备和表征的关键科学技术，形成自有知识产权和自主创新能力，支撑器件和电路的研发，对推动和加速我国宽禁带半导体科学技术的发展具有重要作用，对国家安全和国民经济可持续发展具有重大意义。中科院半导体所在国内最早开展了G...
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