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电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元

2011年

应用技术

初期阶段

成果简介

　本发明涉及一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元，在衬底上依次形成底电极层、阻变氧化物层和顶电极层，其特征在于在阻变氧化物层和顶电极层在界面处形成一储氧层，提供氧离子存储和释放，所构成的存储单元为多层膜结构。在所述的存储单元中储氧层为TiO↓［x］、Cu↓［x］O、WO↓［x］、AlO↓［x］、TiON或AZO。在施加脉冲电场条件下，利用储氧层实现脉冲触发条件下的电阻转变特...

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