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氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究

2004年 基础理论
  • 成果简介
氮化镓具有很高的击穿场强，很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性，是一种具有广泛应用前景的新型光电半导体材料。本研究项目采用分子动力学方法通过计算模拟获得了六角GaN薄膜中扩展缺陷的准确原子构型。通过第一原理密度泛函计算研究了氮化镓及其相关Ⅲ～Ⅴ族化合物的力学性质、能带结构和压电效应。...
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