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0.18微米嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺开发

2011年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本项目开始于2006年，当时嵌入式闪存产品市场基本由国际大厂所垄断，如瑞萨（Renesas）、飞思卡尔（Freescale）、NEC和英飞凌（Infineon）等。项目立项时，全球能够提供嵌入式闪存生产技术的集成电路代工企业中，除宏力、台积电、联电能提供0.18微米工艺技术之外，其它都还处于0.25微米的阶段。因此，宏力0.18微米嵌入式闪存工艺开发和量产的成功，不仅打破了国外技术垄断，更填补...
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