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硅上有机微显示器件

2009年

应用技术

成果简介

该项目围绕有机微显示器件核心问题，研究界面物理和光传输物理特性，成功开发了我国第一款QVGA、30条线/mm的单色有机微显示器件。
技术特点：采用调节空穴注入层和空穴传输层厚度比的办法，提高空穴电流密度；采用MoOx掺入空穴传输层m-MTDATA的方法降低开启电压，明显提高注入电流；以ZnS作为硅基顶发射器件的增透膜，增加阴极的透射率，提高光的耦合输出，4V下的亮度达到...

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