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氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法

2010年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为SI、蓝宝石、SRRUO3或其它钙钛矿氧化物衬底；所述的氧化物稀磁半导体薄膜为宽禁带氧化物ZNO、TIO2或SNO2薄膜，掺杂有过渡金属元素MN、FE、CO、NI或CR；所述的铁电体薄膜为锆钛酸铅、钛酸钕铋或钛酸锶钡薄膜。本发明还公开了2种所述氧化物稀...

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