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多晶硅变流干式变压器

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1、低压线圈采用特殊箔绕串级结构。低压线圈各级输出电压及电流各不相同(共四种)，将它们逐级串联在一起，能够精确调节从几十安培到几千安培的电流变化范围以及从一千多伏到二三百伏的电压变化范围，该种结构可将线圈体积缩小，并实现绕组内部各级联结。变压器低压线圈采用特殊箔绕结构，多层轴向气道式结构：具有填充系数高，散热效果好，抗短路能力强，电容分布均匀的特点，并解决了不同档位下对电感不同的要求. <...
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