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超低电压、超低电容、超低泄漏电流多层片式压敏电阻器

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一、课题来源与背景
　　1、课题来源
　　根据市场需要及多层片式压敏电阻器发展方向而自行立项。
　　2、课题背景
　　随着IC和半导体器件的工作电压愈来愈低，高速信号线路数据传输的速度越来越快，产品的集成度愈来愈高，产品遭受过电压和ESD的几率大大增加，对作为ESD保护元件的多层片式压敏电阻器提出了更高的要求，即向超低电压、超低电容、超低泄漏电流...
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