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Si3N4和SiC单晶低维纳米材料可控掺杂

2009年

应用技术

成果简介

一种有机前驱体共热解实现Si3N4和SiC单晶低维纳米材料可控掺杂新方法，其包括以下具体步骤：
（1）将两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例球磨混合均匀；
（2）混合均匀后进行交联固化，得到非晶态固体；
（3）将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中，引入催化剂，在球磨机中进行球磨粉碎；
（4）球磨后的混合物进行...

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