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掺氮直拉硅单晶氮及相关缺陷的研究

2009年 应用技术
  • 成果简介
该项目涉及微电子的基础和关键材料－硅单晶的基本特性研究，属于信息科学领域。
20世纪80年代末期我国独创了减压充氮生长直拉硅单晶。自1991年起，该项目系统开展了掺氮直拉硅单晶相关缺陷与性能的基础理论研究，证明氮影响直拉硅单晶的电阻率稳定，提出氮对热和新施主的抑制作用机理，揭示掺氮直拉硅单晶缺陷的结构、性质和作用，形成较完整的对掺氮直拉硅单晶相关缺陷物理内涵的认识，解决...
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