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一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长方法

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种二氧化碲单晶体的坩埚下降法生长技术，属于晶体生长领域。其特征在于采用以粉末为原料直接装埚入炉及在坩埚下降生长晶体的过程中持续升温至１３００℃～１４００℃的方法，坩埚下降的速率为每小时０．６～１．０ｍｍ。本技术克服了背景技术中压块装料、下降过程单一降温技术导致的易穿漏、成品率低和晶体厚度小的缺点。可生长出厚度超过６０ｍｍ、尺寸大于（６０×６０×６０）ｍｍ的优质大单晶。穿漏率＜１％，成品率...
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