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高性能高亮度InGaAlP四元系红黄光LED外延片、芯片研制与生产

2009年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
  技术说明:
  (1)新颖多量子阱结构设计与生长:
  在通常的多量子阱结构中,阱和垒均匀、对称且周期的分布。本成果在LED结构中,设计并生长了非对称、非均匀结构多量子阱,改善了载流子的复合,大大提高了内量子效率和光子的传输。
  (2)复合DBR结构设计与生长:
  本成果在LED结构中,增加了由不同材料体系及不同参数的反射层形成的复合DBR结...
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