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碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法

2009年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法，其特征在于所制备的梯度材料一端是单相ti↓［3］sic↓［2］，另一端为ti↓［3］sic↓［2］－tic或sic－tic相，中间至少一层，制备方法是按组成，选择ti、si、c和al为原料，混和后放电等离子原位反应烧结，烧结温度为1200－1500℃，升温速率为80－200℃／min，压力为50－70mpa，保温6－10分钟。本发明特征...
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