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硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片

2009年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片，该芯片包括：Si衬底，在Si衬底上依次置有与其牢固结合的碲化镉缓冲层、碲镉汞外延薄膜，通过器件芯片制备工艺在HgCdTe外延薄膜上形成特殊的网络状光敏元列阵，这种网络结构在温度变化时可以比较自由地伸缩。本发明带来的一个非常显著的优点是，无论器件规模有多大，器件尺寸有多大，网络结构都等效地将大芯片分解成以光敏元尺度为单位的小芯片的集成，这样在...
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