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一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法

2009年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　曾被用于Si基材料的直接键合技术近年来在Ⅲ-Ⅴ族材料的组装中得到了广泛应用。与传统外延技术如MBE、MOCVD相比，直接键合过程不会在外延层中额外地引入线位错，这是使该技术在组合不同材料结构中得以应用的重要原因；然而直接键合也带来不利的影响，如键合过程在异质材料界面附近引入大量的边位错群，对电学、光学性质产生影响，同时退火过程引起缺陷、纳米量级微空位扩散、迁移致外延层结构使其性能变差，而且退火...
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