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铟镓砷线列红外焦平面探测器

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、InxGa1-xAs吸收层和P型 InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了 InP层晶格的完整性，并且在...

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