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半绝缘砷化镓单晶材料

2005年 应用技术
  • 成果简介
项目描述：半绝缘砷化镓单晶材料是继Si单晶之后应用最广泛的第二代化合物半导体材料。由于其具有优越的光电性能，因而在微电子和光电子领域都获得不可替代的广泛应用；包括卫星通讯、数字通讯、光纤通讯、半导体激光和探测器等。晶片直径：2-6英寸；电阻率：>2×10的7次方；迁移率>6000；碳浓度<2×10的15次方；截面电阻率均匀性<30%，位错密度<1×10的5次方；晶片TIR<5；晶片TTV<...
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