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用于表面、界面研究的慢正电子束流装置

2001年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　常规正电子湮没技术包含测量湮没寿命和多普勒展宽，因采用的正电子源通常是22Na，β衰变发射出的正电子具有从0到0.5MeV的连续能量，在固体中的射程为几十到几百微米，这样，该技术局限于研究大块样品，提供材料体内信息，而不适用于研究表面和界面。利用正电子表面发射现象，可获得能量约为1eV的单色、低能正电子。通过电磁场的聚焦和进一步的加速，即可获得单色、能量可调的正电子束，通常称其为慢正电子束。 ...
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