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贴片式功率MOSFET封装技术研究（1N60型TO-251、TO-252封装场效应晶体管）

2008年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

“表贴式功率MOSFET封装技术研究（1N60型TO-251、TO-252封装场效应晶体管）”项目是我公司2007年为自主研发新产品而进行的封装技术研究。该装封装技术研究项目，以1N60型TO-251、TO-252封装场效应晶体管为代表品种。经过设计评审，原材料的选择、工艺路线的确定，封装工艺攻关等，完成了新工艺和新产品的研究。
最大耗散功率PD: 35 W、最大漏极直...

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