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一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法

2008年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl3原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10-20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以...
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