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InGaN/GaN量子点高亮度蓝/绿发光二极管（LED）的研制

2008年

应用技术

中期阶段

成果简介

半导体照明技术中的高亮度氮化镓基发光材料和芯片的制造使下一代照明光源的关键和核心技术。
本项目系统研究了InGaN/GaN量子阱/点发光材料的结构、制备工艺，经过反复的实验，成功研制了高亮度InGaN/GaN蓝/绿光LED芯片。研究中对材料的生长、控制及表征，材料结构和发光性能之间的关系都进行了细致的研究，特别是在高度晶格非匹配，高缺陷外延的控制生长等的关键技术以及全套...

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