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等离子体低温刻蚀高深宽比硅微结构研究

2008年

基础理论

成果简介

典型的硅加工工艺需要具有各项异性的刻蚀，同时要有大的选择性和刻蚀速率。无毒性、无腐蚀性的化学反应是最理想的，由于各种刻蚀气体具有不同的电离电位、碰撞电离截面、分子离解率，在相同条件下，SF6等离子体密度和自由基密度高于CF4，通过比较得到，SF6的刻蚀速率最高，CF1的刻蚀速率最低。因此，高浓度的SF6等离子体被用于产生大量的F原子进行高速度刻蚀，但在纯的F离子环境中，由于没有侧壁保护，F...

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