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Ga分凝特性的二次离子质谱分析

2001年

应用技术

成果简介

为给出受主杂质Ga通过SiO_2／Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律，利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻测量方法，对Ga在SiO_2／Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究，得出新的结论：(1)Ga在SiO_2中的固溶度较低而扩散系数很大，故形成线性分布形式，Ga在Si中的溶解度相比SiO_2很大，SiO_2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度...

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