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高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测

2002年 应用技术
  • 成果简介
报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺，对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试。晶体在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 %，截止吸收波长为 787.6 nm，带隙为 1.5 74 e V，室温电阻率达到 2× 10 ^(1 0) ...
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