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低场大应变NiMnGa磁驱动形状记忆合金单晶的研究

2004年

应用技术

成果简介

系统研究了NiMnGa晶体的晶体生长过程，发现通过提高温度梯度、晶体生长速度及熔区长度可以减小固液界面凹度高度，我们已通过提高温度梯度的方法实现了平界面和上凸界面生长，成功制备出高品质NiMnGa单晶。NiMnGa单晶及取向晶体的轴向成分分布均匀，NiMnGa单晶的马氏体转变温度沿轴向偏差小于10℃，较文献报道的50℃有显著改善。建立了固液界面弧度高度的理论方程式，理论分析结果与实验结果有...

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