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半导体微腔激光器中的自发辐射耦合增强效应

2001年 应用技术
  • 成果简介
针对半导体微腔激光器的结构特点，以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应，采用光增益与载流子密度的对数关系，引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献，指出即便是对于理想的封闭微腔，由于非辐射衰减速率的影响，光输出并不随泵浦线性变化。结合频谱和相图分析，给出了自发辐射耦合因子与微腔激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量关系的仿真结果，这对于微腔激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益...
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