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硅上异质外延单晶金刚石膜生长机理及磁阻效应的研究

2001年 应用技术
  • 成果简介
本项目主要研究了硅上异质外延金刚石膜生长机制及其磁阻效应。研究结果表明P 型金刚石膜有显著的磁阻效应，并与其形状、磁场强度、温度及空穴浓度等有密切的关系。利用薄膜的F－S 理论系统地分析磁阻效应的机制，给出了磁阻效应计算公式，建立了磁阻和压阻效应的统一计算理论表达式。研究还表明在硅上实现金刚石外延生长最关键的一步是控制核化过程。为此本项目对负衬底偏压增强金刚石核化进行了系统实验和理论研究。...
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