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外场诱导反应性热CVD生长Si1-x-yGexCy合金膜及光电特性研究

2002年

应用技术

成果简介

Si1-xGex合金在高速电子器件和光电器件等方面具有广阔的应用前景。然而Si1-xGex/Si是一种晶格失配异质结，外延层中存在很大压应力，影响其光电性能。掺入适量C可以缓解Si上Si1-xGex层的压应变，有利于器件的制备和性能的改善。用射频共溅射、离子注入和反应性热CVD等成膜工艺结合脉冲激光退火、两步热退火等后处理方法，成功制备了C替位掺杂的零应变Si1-x-yGexCy三元半导体...

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