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砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。本发明设计的材料结构测得其沟道二维电子气浓度为1.57E+12cm^-2，电子迁移率为97...
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