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一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法

2005年

应用技术

成果简介

一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法，采用常规的低成本低压化学汽相沉积(LPCVD)方法来制备超薄Si_3N_4膜，得到性能优良的等效氧化层厚度(EOT)为1.9nm的超薄Si_3N_4/SiO_2 stack栅介质。并在此基础上详细研究了Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质的特性，成功应用于栅长为0.13μm高性能N/O stack栅介质CMOS器件研制，为深亚微...

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