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采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：
1、在<100>硅基片上淀积SiNX薄膜；
2、光刻，刻蚀SiNX薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；
3、腐蚀硅衬底，形成硅突点；
4、表面淀积SiO_2薄膜牺牲层；
5、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥...
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