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一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管，包括：库仑岛，位于库仑岛两侧的源和漏，连接库仑岛与源和漏的两个隧道结，位于库仑岛两侧且垂直于源和漏所在方向上的两个侧栅，源上沉积的源电极，漏上沉积的漏电极，以及侧栅上沉积的栅电极。本发明同时公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，并简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制...
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