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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管

2006年

应用技术

成果简介

　　一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，包括：一P型硅衬底；一N阱制作在P型衬底上的中间部位；一N^＋叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触制作在该N^＋叉指型扩散区上；一P^＋叉指型扩散区制作在N阱内；一第二金属接触制作在该P^＋叉指型扩散区上；一P^＋扩散区保护环制作在P型Si衬底上；一第三金属接触制作在该P^＋扩散区保护环上的一侧；一二氧化硅层覆盖在器件结构的整个上表面；...

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