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用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法，包括如下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上采用在一次选择区域外延生长法制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区的上面，靠近有源区的一端的三分之一制作光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；采用湿法化学腐蚀法在P面电极上纵向腐蚀出两条电隔离沟，该两条电隔离沟的中间为第一电吸收调制器、一侧...
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