首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

降低磷离子注入0001取向的4H－碳化硅电阻率的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
　　一种降低磷离子注入取向的4H－碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在4H-碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到4H－碳化硅晶面；注入的样品在纯净的氩气保护下高温退火。本发明通过控制磷离子注入速率，减少了注入损伤，从而改善了退火后注入层的结晶质量，使得在工艺处理难度降低的情况下，达到降低注入层电阻率的目的，样品表面平整光滑，而且并未...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统