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高击穿电压的高电子迁移率晶体管

2004年 应用技术
  • 成果简介
一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，制作在二维电子气量子阱上，用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用；一面掺杂层，制作在隔离层上，用于提供电子，并有效提高势垒击穿电压；一势垒层，制...
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