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降低磷化镓单晶尾部位错的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种降低磷化镓单晶尾部位错的方法，其方法步骤如下：
1）在磷化镓单晶生长将结束前1～2小时始，缓慢升温，升温速率0.1℃/min～0.4℃/min，连续升温10℃～30℃；
2）当晶体生长到尾部浮舟落底且保持固液交界面不出现结晶现象时，停止坩埚随动上升；
3）保持原拉速不变，进行1～2小时的拉晶；
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