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一种照明用氮化镓基发光二极管器件

2006年 应用技术
  • 成果简介
  本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件,该二极管器件包括:蓝宝石衬底;在蓝宝石衬底上依次外延生长的n型GaN基化合物和p型InGaN有源层;采取干法刻蚀或湿法腐蚀的方法将p型InGaN有源层局部去除,在露出的n型GaN基化合物上制备的n型电极;和在p型InGaN有源层上制备的大面积p型透明电极。
  利用本发明,可使电子-空穴复合发光区与整个耗尽层基本重合,从而提高了二极管的...
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