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单壁碳纳米管的生长方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法，主要包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一氧化铟锡电极，氧化铟锡电极的厚度为5纳米～100纳米；在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层，铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米；在铝过渡层上沉积一催化剂层，催化剂层的厚度为3纳米～10纳米；将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中，在300℃～500℃下热处理10分钟～12小时，催化剂层经退火后形成氧...
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